化学机械抛光机
CMP Pro-6 化学机械抛光领域的卓越成就
Rtec-Instruments CMP Pro-6 化学机械抛光机是一款高性能台式 CMP 系统，专为研究、工艺开发和抛光耗材评估而设计。 CMP Pro-6 结合了精确的下压力控制、可编程的研磨盘和载片架速度、自动研磨液输送以及原位或离位调理功能，使工程师能够以卓越的重复性优化抛光配方。 其坚固的平台可容纳最大 6 英寸的晶圆，同时支持先进半导体、MEMS、光学和材料抛光工艺的开发。无论是提高去除率、晶圆内均匀性、抛光垫调理还是抛光浆料性能，CMP Pro-6 都能提供所需的灵活性和控制力，以加速 CMP 创新并提高制造良率。
主要特点
精确的工艺控制
通过可编程的压盘速度、载体速度和可调节的下压力，精确控制每个抛光参数。Rtec-Instruments CMP Pro-6 具备卓越的重复性，可优化材料去除率、表面光洁度以及晶圆内均匀性。在加速工艺开发并降低实验变异性的同时，可自信地重现抛光条件。
完全可编程的浆料输送
集成的可编程抛光浆料和去离子水输送系统可确保在每个抛光周期中实现均匀的流体分配。该系统有助于评估新型抛光浆料配方、优化抛光工艺配方，并在降低抛光浆料消耗的同时提高工艺稳定性。自动输送系统提高了工艺重复性，并最大限度地减少了操作人员的影响，从而确保CMP工艺的可靠开发。
多功能晶圆处理
通过可互换的载片头，支持2英寸、4英寸和6英寸基片的多种晶圆尺寸。该多功能平台可在单一系统上对半导体晶圆、MEMS器件、光学材料和先进陶瓷进行抛光，为研究实验室和工艺开发提供了最大的灵活性。
高级擦拭垫调理
将原位和离位抛光垫调理相结合，可在整个抛光过程中保持抛光垫表面性能的一致性。在真实的工作条件下评估抛光垫性能的同时，优化调理参数，延长抛光垫使用寿命，并提高抛光均匀性。在工艺开发的每个阶段都能获得稳定、可重复的CMP结果。
专为 CMP 研发设计
Rtec-Instruments CMP Pro-6 专为 CMP 研究而设计，可提供开发和优化抛光工艺、耗材及材料所需的灵活性。该设备可用于研究抛光垫、抛光浆料、预处理剂和晶圆材料，同时加速工艺创新，随后将优化的工艺配方转移至生产环境。
更多相关信息
CMP的典型应用
半导体制造
- 硅片抛光
- 氧化物（SiO₂）平坦化
- 铜CMP
- 介电层化学机械抛光
- 先进逻辑与存储器件
MEMS制造
- 表面平坦化
- 微加工工艺开发
- MEMS晶圆后处理
CMP工艺开发
- 去除率优化
- 晶圆内不均匀性研究
- 食谱研发
- 工艺可重复性评估
CMP耗材评估
- 抛光垫的性能
- 浆料开发
- 调理剂优化
- 背衬膜评估
材料研究
- 先进陶瓷
- 玻璃抛光
- 蓝宝石衬底
- 化合物半导体（SiC、GaN）
- 光学材料
大学与研究实验室
- CMP工艺培训
- 新型抛光化学品
- 表面处理研究
- 材料表征
| 压板直径 | 380 毫米 |
|---|---|
| 压板速度 | 1-100 转/分 |
| 晶圆尺寸 | 最大6英寸晶圆 |
| 最大下压力 | 25千克力 |
| 磁头转速 | 1 - 100 转/分 |
| 护发素 | 直径4.25英寸 |
| 其他选项 | 适用于6英寸、4英寸、2英寸晶圆的载片头 |
| 功率 | 220V，30A |
| 尺寸： | 870 × 800 × 870毫米 |
