Polisseuse chimico-mécanique
CMP Pro-6 Chemical Mechanical Polishing Excellence
La polisseuse chimico-mécanique CMP Pro-6 de Rtec-Instruments est un système CMP de paillasse hautement performant, conçu pour la recherche, le développement de procédés et l’évaluation des consommables de polissage. Alliant un contrôle précis de la force d’appui, des vitesses programmables du plateau et du support, une distribution automatique de la pâte de polissage et un conditionnement in situ ou ex situ, la CMP Pro-6 permet aux ingénieurs d’optimiser les recettes de polissage avec une répétabilité exceptionnelle. Sa plate-forme rigide peut accueillir des plaquettes allant jusqu’à 6 pouces tout en facilitant le développement de procédés avancés de polissage pour les semi-conducteurs, les MEMS, l’optique et les matériaux. Qu’il s’agisse d’améliorer le taux d’enlèvement, l’uniformité intra-plaquette, le conditionnement des tampons ou les performances de la pâte de polissage, le CMP Pro-6 offre la flexibilité et le contrôle nécessaires pour accélérer l’innovation en matière de CMP et améliorer le rendement de fabrication.
CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES
Precise Process Control
Precisely control every polishing parameter with programmable platen speed, carrier speed, and adjustable downforce. The Rtec-Instruments CMP Pro-6 delivers exceptional repeatability for optimizing removal rate, surface finish, and within-wafer uniformity. Reproduce polishing conditions with confidence while accelerating process development and reducing experimental variability.
Fully Programmable Slurry Delivery
Integrated programmable slurry and DI water delivery ensure consistent fluid distribution throughout every polishing cycle. Evaluate new slurry chemistries, optimize polishing recipes, and improve process stability while reducing slurry consumption. Automated delivery enhances repeatability and minimizes operator influence for reliable CMP process development.
Versatile Wafer Handling
Support multiple wafer sizes using interchangeable carrier heads for 2", 4", and 6" substrates. The versatile platform enables polishing of semiconductor wafers, MEMS devices, optical materials, and advanced ceramics on a single system, providing maximum flexibility for research laboratories and process development.
Advanced Pad Conditioning
Integrated in-situ and ex-situ pad conditioning maintains consistent pad surface properties throughout polishing. Optimize conditioning parameters, extend pad lifetime, and improve polishing uniformity while evaluating pad performance under realistic operating conditions. Achieve stable, repeatable CMP results across every stage of process development.
Designed for CMP Research & Development
Purpose-built for CMP research, the Rtec-Instruments CMP Pro-6 provides the flexibility required to develop and optimize polishing processes, consumables, and materials. Investigate polishing pads, slurries, conditioners, and wafer materials while accelerating process innovation before transferring optimized recipes to production environments.
En savoir plus sur
Applications typiques du CMP
Fabrication de semi-conducteurs
- Polissage des plaquettes de silicium
- Planarisation de l’oxyde (SiO₂)
- CMP au cuivre
- CMP diélectrique
- Dispositifs logiques et de mémoire avancés
Fabrication de MEMS
- Planarisation de surface
- Développement de procédés de microfabrication
- Finition des plaquettes MEMS
Développement des procédés CMP
- Optimisation du taux d’élimination
- Études sur les non-uniformités intra-plaquette
- Élaboration de recettes
- Évaluation de la répétabilité du procédé
Évaluation des consommables CMP
- Performances des tampons de polissage
- Mise au point des boues
- Optimisation des conditionneurs
- Évaluation du film de support
Recherche sur les matériaux
- Céramiques de pointe
- Polissage du verre
- Substrats en saphir
- Semi-conducteurs composés (SiC, GaN)
- Matériaux optiques
Universités et laboratoires de recherche
- Formation au processus CMP
- Nouvelles formules chimiques de polissage
- Recherche sur les traitements de surface
- Caractérisation des matériaux


| Platen Diameter | 380 mm |
|---|---|
| Platen Speed | 1-100 rpm |
| Wafer Size | up to 6” Wafer |
| Max Downforce | 25kgf |
| Head rpm | 1 - 100 rpm |
| Conditioner | 4.25” diameter |
| Additional Options | Carrier head for 6’’’,4’’’,2” wafers |
| Power | 220V, 30A |
| Size: | 870 x 800 x 870mm |
