Chemisch-mechanische Poliermaschine
CMP Pro-6 Chemical Mechanical Polishing Excellence
Die chemisch-mechanische Poliermaschine CMP Pro-6 von Rtec-Instruments ist ein leistungsstarkes Tisch-CMP-System, das für Forschung, Prozessentwicklung und die Bewertung von Polierverbrauchsmaterialien konzipiert wurde. Durch die Kombination aus präziser Anpresskraftsteuerung, programmierbaren Platten- und Trägergeschwindigkeiten, automatischer Slurry-Zufuhr sowie In-situ- oder Ex-situ-Konditionierung ermöglicht das CMP Pro-6 Ingenieuren die Optimierung von Polierrezepturen mit außergewöhnlicher Wiederholgenauigkeit. Seine stabile Plattform bietet Platz für Wafer mit einem Durchmesser von bis zu 6 Zoll und unterstützt gleichzeitig die Entwicklung fortschrittlicher Polierprozesse für Halbleiter, MEMS, Optik und Werkstoffe. Ob es um die Verbesserung der Abtragsrate, der Gleichmäßigkeit innerhalb des Wafers, der Pad-Konditionierung oder der Slurry-Leistung geht – der CMP Pro-6 bietet die erforderliche Flexibilität und Kontrolle, um Innovationen im Bereich CMP voranzutreiben und die Fertigungsausbeute zu steigern.
HAUPTMERKMALE
Precise Process Control
Precisely control every polishing parameter with programmable platen speed, carrier speed, and adjustable downforce. The Rtec-Instruments CMP Pro-6 delivers exceptional repeatability for optimizing removal rate, surface finish, and within-wafer uniformity. Reproduce polishing conditions with confidence while accelerating process development and reducing experimental variability.
Fully Programmable Slurry Delivery
Integrated programmable slurry and DI water delivery ensure consistent fluid distribution throughout every polishing cycle. Evaluate new slurry chemistries, optimize polishing recipes, and improve process stability while reducing slurry consumption. Automated delivery enhances repeatability and minimizes operator influence for reliable CMP process development.
Versatile Wafer Handling
Support multiple wafer sizes using interchangeable carrier heads for 2", 4", and 6" substrates. The versatile platform enables polishing of semiconductor wafers, MEMS devices, optical materials, and advanced ceramics on a single system, providing maximum flexibility for research laboratories and process development.
Advanced Pad Conditioning
Integrated in-situ and ex-situ pad conditioning maintains consistent pad surface properties throughout polishing. Optimize conditioning parameters, extend pad lifetime, and improve polishing uniformity while evaluating pad performance under realistic operating conditions. Achieve stable, repeatable CMP results across every stage of process development.
Designed for CMP Research & Development
Purpose-built for CMP research, the Rtec-Instruments CMP Pro-6 provides the flexibility required to develop and optimize polishing processes, consumables, and materials. Investigate polishing pads, slurries, conditioners, and wafer materials while accelerating process innovation before transferring optimized recipes to production environments.
Mehr dazu
Typische CMP-Anwendungen
Halbleiterfertigung
- Polieren von Siliziumwafern
- Planarisierung von Oxid (SiO₂)
- Kupfer-CMP
- Dielektrisches CMP
- Fortgeschrittene Logik- und Speicherbausteine
MEMS-Fertigung
- Oberflächenplanarisierung
- Entwicklung von Mikrofabrikationsverfahren
- Endbearbeitung von MEMS-Wafern
CMP-Prozessentwicklung
- Optimierung der Entsorgungsrate
- Untersuchungen zur In-Wafer-Inhomogenität
- Rezeptentwicklung
- Bewertung der Prozesswiederholbarkeit
Bewertung von CMP-Verbrauchsmaterialien
- Leistung des Polierpads
- Entwicklung von Schlammgemischen
- Optimierung der Konditionierung
- Bewertung der Trägerfolie
Materialforschung
- Hochleistungskeramik
- Glaspolieren
- Saphirsubstrate
- Verbundhalbleiter (SiC, GaN)
- Optische Materialien
Universitäts- und Forschungslabore
- Schulung zum CMP-Verfahren
- Neue Polierchemikalien
- Forschung im Bereich der Oberflächenveredelung
- Materialcharakterisierung


| Platen Diameter | 380 mm |
|---|---|
| Platen Speed | 1-100 rpm |
| Wafer Size | up to 6” Wafer |
| Max Downforce | 25kgf |
| Head rpm | 1 - 100 rpm |
| Conditioner | 4.25” diameter |
| Additional Options | Carrier head for 6’’’,4’’’,2” wafers |
| Power | 220V, 30A |
| Size: | 870 x 800 x 870mm |
