Pulidora químico-mecánica
CMP Pro-6 Chemical Mechanical Polishing Excellence
La pulidora químico-mecánica CMP Pro-6 de Rtec-Instruments es un sistema CMP de sobremesa de alto rendimiento diseñado para la investigación, el desarrollo de procesos y la evaluación de consumibles de pulido. Gracias a su preciso control de la fuerza de presión, las velocidades programables de la placa y el portador, el suministro automático de pasta de pulido y el acondicionamiento in situ o ex situ, la CMP Pro-6 te permite optimizar las recetas de pulido con una repetibilidad excepcional. Su plataforma rígida admite obleas de hasta 6 pulgadas y facilita el desarrollo de procesos avanzados de pulido para semiconductores, MEMS, óptica y materiales. Ya sea para mejorar la tasa de eliminación, la uniformidad dentro de la oblea, el acondicionamiento de la almohadilla o el rendimiento de la pasta de pulido, el CMP Pro-6 ofrece la flexibilidad y el control necesarios para acelerar la innovación en CMP y mejorar el rendimiento de la fabricación.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
Precise Process Control
Precisely control every polishing parameter with programmable platen speed, carrier speed, and adjustable downforce. The Rtec-Instruments CMP Pro-6 delivers exceptional repeatability for optimizing removal rate, surface finish, and within-wafer uniformity. Reproduce polishing conditions with confidence while accelerating process development and reducing experimental variability.
Fully Programmable Slurry Delivery
Integrated programmable slurry and DI water delivery ensure consistent fluid distribution throughout every polishing cycle. Evaluate new slurry chemistries, optimize polishing recipes, and improve process stability while reducing slurry consumption. Automated delivery enhances repeatability and minimizes operator influence for reliable CMP process development.
Versatile Wafer Handling
Support multiple wafer sizes using interchangeable carrier heads for 2", 4", and 6" substrates. The versatile platform enables polishing of semiconductor wafers, MEMS devices, optical materials, and advanced ceramics on a single system, providing maximum flexibility for research laboratories and process development.
Advanced Pad Conditioning
Integrated in-situ and ex-situ pad conditioning maintains consistent pad surface properties throughout polishing. Optimize conditioning parameters, extend pad lifetime, and improve polishing uniformity while evaluating pad performance under realistic operating conditions. Achieve stable, repeatable CMP results across every stage of process development.
Designed for CMP Research & Development
Purpose-built for CMP research, the Rtec-Instruments CMP Pro-6 provides the flexibility required to develop and optimize polishing processes, consumables, and materials. Investigate polishing pads, slurries, conditioners, and wafer materials while accelerating process innovation before transferring optimized recipes to production environments.
Más información sobre
Aplicaciones típicas del CMP
Fabricación de semiconductores
- Pulido de obleas de silicio
- Planarización del óxido (SiO₂)
- CMP de cobre
- CMP dieléctrico
- Dispositivos avanzados de lógica y memoria
Fabricación de MEMS
- Planarización de superficies
- Desarrollo de procesos de microfabricación
- Acabado de obleas MEMS
Desarrollo de procesos de CMP
- Optimización de la tasa de eliminación
- Estudios sobre la falta de uniformidad dentro de una oblea
- Desarrollo de recetas
- Evaluación de la repetibilidad del proceso
Evaluación de consumibles CMP
- Rendimiento de las almohadillas de pulido
- Desarrollo de lechadas
- Optimización del acondicionador
- Evaluación de la película de soporte
Investigación sobre materiales
- Cerámica avanzada
- Pulido de cristal
- Sustratos de zafiro
- Semiconductores compuestos (SiC, GaN)
- Materiales ópticos
Universidad y laboratorios de investigación
- Formación sobre el proceso CMP
- Nuevos productos químicos para el pulido
- Investigación sobre acabados superficiales
- Caracterización de materiales


| Platen Diameter | 380 mm |
|---|---|
| Platen Speed | 1-100 rpm |
| Wafer Size | up to 6” Wafer |
| Max Downforce | 25kgf |
| Head rpm | 1 - 100 rpm |
| Conditioner | 4.25” diameter |
| Additional Options | Carrier head for 6’’’,4’’’,2” wafers |
| Power | 220V, 30A |
| Size: | 870 x 800 x 870mm |
